3-й разряд Характеристика работ. Ведение процесса наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев с определенными параметрами на установках эпитаксиального наращивания. Подготовка оборудования к работе, проверка оборудования на герметичность, загрузка и разгрузка подложек. Контроль и корректировка режима процесса наращивания. Проверка качества применяемых подложек, материалов. Ведение процесса газового травления. Замер температуры оптическим пирометром. Заправка испарителей SiCl4. Снятие и установка кварцевой оснастки на оборудовании различных типов. Проведение профилактики газовой системы. Замена баллонов. Должен знать: устройство важнейших частей, принцип действия установок эпитаксиального наращивания и контрольно - измерительных приборов; свойства химикатов, применяемых для наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев; реакции, происходящие на поверхности подложки в процессе наращивания; влияние примесей на качество эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев; способы градуирования ротаметров; методы измерения и регулирования температуры процесса наращивания испарителей, охлаждения реактора; правила работы с баллонами, магистральными газами и газовыми смесями. Примеры работ Эпитаксиальные, поликристаллические, диэлектрические, металлические слои - наращивание однослойных структур. 4-й разряд Характеристика работ. Ведение процесса наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев всех типов. Корректировка процесса наращивания по результатам контрольного процесса. Расчет скорости наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев. Расчет концентрации легирующей примеси. Карбидизация графитовых нагревателей (пьедесталов). Приготовление растворов SiCl4 с определенной концентрацией легирующей примеси. Определение неисправностей в установках. Должен знать: устройство и способы подналадки оборудования различных типов; методы наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев и их свойства; свойства полупроводниковых материалов; свойства газов; методы измерения основных электрофизических и структурных параметров эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических структур; устройство, назначение и условия применения приборов для контроля процесса, системы газораспределения и водяного охлаждения; влияние концентрации легирующей примеси на параметры эпитаксиальных структур, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев; основы электротехники в пределах выполняемой работы. Примеры работ Эпитаксиальные, поликристаллические, диэлектрические и металлические слои - наращивание структур со скрытыми слоями. 5-й разряд Характеристика работ. Ведение процессов наращивания многослойных эпитаксиальных структур, диэлектрических слоев. Наращивание сверхтонких поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев. Устранение разброса параметров слоев различными методами. Замена стаканов и настройка индукторов по температурному режиму на установках, использующих ВЧ - нагрев. Настройка температурного режима процесса на установках, использующих инфракрасные и другие виды нагрева. Задание режимов на электронной системе управления технологическим процессом. Должен знать: электрическую и газовую схему обслуживаемого оборудования, способы ее проверки, основные неисправности и методы их устранения; режимы и правила проведения процессов для получения сложных и многослойных эпитаксиальных структур, поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев; правила настройки и регулировки приборов для контроля процесса, основы теории процесса эпитаксиального наращивания; правила работы с электронной системой управления технологическим процессом. Требуется среднее профессиональное образование. Примеры работ 1. Структуры многослойные эпитаксиальные - наращивание с заданными параметрами. 2. Структура многослойная диэлектрик - полупроводник - наращивание. 3. Слои тонкие эпитаксиальные - наращивание. 6-й разряд Характеристика работ. Самостоятельное ведение процессов получения эпитаксиальных, диэлектрических, поликристаллических и металлических слоев любого назначения на оборудовании различных типов. Проведение процессов, стимулированных плазмой, и процессов с использованием газообразных, жидкостных и твердых источников. Проведение экспериментальных и опытных работ по наращиванию слоев. Самостоятельная корректировка режимов в процессе работы. Расчет концентрации легирующей примеси, расчет скорости потоков паров и газов, температурных режимов. Задание и корректировка режимов на электронной системе управления технологическим процессом. Должен знать: конструкцию, способы и правила наладки различных типов оборудования; правила работы с электронной системой управления технологическим процессом; методы прецизионной обработки полупроводниковых материалов; методы расчета концентрации легирующей примеси; особенности процессов диффузии и наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев; конструкцию полупроводниковых приборов и твердых схем на основе эпитаксиальных структур; основы теории полупроводников; физические и химические основы технологических процессов наращивания. Требуется среднее профессиональное образование. Примеры работ 1. Многослойные эпитаксиальные структуры - наращивание с различными заданными параметрами. 2. Локальная эпитаксия - наращивание.