2-й разряд Характеристика работ. Измерение электрических параметров радиодеталей на контрольно - измерительных приборах, автоматах и полуавтоматах в серийном и массовом производствах. Измерение электрических параметров: индуктивности, омического сопротивления, емкости на заданный номинал. Измерение электрических параметров селеновых элементов на измерительных пультах. Периодическая проверка на приборах правильности рассортировки изделий по измеряемым параметрам. Электро- и термотренировка резисторов. Замена резисторов и конденсаторов с точностью 5 - 15%. Самостоятельная настройка приборов по эталону на требуемые значения электрических и электромагнитных параметров и периодическая проверка правильности их показаний. Должен знать: наименование, назначение и условия применения контрольно - измерительных аппаратуры и приборов; методы проверки, настройки и регулирования измерительных приборов в процессе работы; правила пользования шкалами и таблицами на погрешность прибора и на изменение емкости после прокаливания; номинальные значения и допускаемые величины измеряемых параметров; методы измерения емкости и подгонки заданной емкости; величину частот, на которых производится измерение магнитных параметров; основные понятия о переменном токе; единицы измерения электрического тока; пределы допусков для измерения по заданному классу точности. Примеры работ 1. Изделия типа ТОЛ, ТОТ, М-63 - измерение электрических параметров. 2. Кольца альсиферовые - измерение индуктивности и магнитной проницаемости с рассортировкой по группам проницаемости. 3. Конденсаторы оксидные - измерение емкости, тангенса угла диэлектрических потерь и тока утечки на приборах и автоматах. 4. Контур промежуточной частоты (фильтр) - измерение параметров. 5. Конденсаторы и блоки керамические герметизированные трубчатые - измерение стабильности на приборе. 6. Магнитопроводы из электротехнической стали (толщина ленты 0,03 - 0,35 мм) - измерение электрических параметров и геометрических размеров. 7. Микротрансформаторы - измерение сопротивления между обмотками. 8. Пластины ферритовые - измерение электрических параметров на специальном стенде. 9. Предохранители керамические - измерение электрических параметров. 10. Резисторы постоянные и переменные - измерение электрических параметров. 11. Радиолампы и кинескопы - проверка межэлектродной емкости и напряжений. 12. Резисторы постоянные непроволочные - проверка шумомером ЭДС шумов. 13. Стержни антенн - проверка на приборах добротности и электрической емкости. 14. Секции и собранные конденсаторы: бумажные, слюдяные, стеклокерамические, пленочные - измерение емкости с рассортировкой по классам точности на приборах. 15. Сердечники - измерение магнитных параметров, измерение добротности на омметре и индуктивности на ИЕЕВ или мосте УМ-3; проверка удельного сопротивления и напряженности среднего поля на приборе. 16. Селеновые элементы серий "А", "Я", "Ф", Т" всех размеров - измерение прямого и обратного тока. 17. Трансформаторы - проверка коэффициента трансформации, асимметрии обмоток, тока холостого хода, сопротивления обмоток и изоляции. 18. Тороиды - измерение на омметре электрических параметров. 3-й разряд Характеристика работ. Измерение емкости, тангенса угла диэлектрических потерь, тока утечки, величины омического сопротивления и Других электрических параметров собранных радиодеталей и ферритовых изделий на контрольно - измерительных приборах. Определение электрических параметров по нескольким шкалам прибора или по двум и более приборам. Измерение емкостных, обратных токов рабочих и оптимальных напряжений полупроводниковых детекторов. Определение толщины полупроводниковых, диэлектрических, эпитаксиальных слоев методом сферического шлифа, бесконтактным методом, контактным и разрушающим методами. Определение типов проводимости, измерение вольтфарадных характеристик и сопротивлений МДП и ЦЦП - структур, измерение интенсивности электролюминесценции и величин термо ЭДС полупроводниковых материалов. Измерение электрических параметров селеновых элементов и выпрямителей. Испытание электрической прочности и сопротивления изоляции. Проверка отсортированных селеновых элементов на контрольно - проверочном стенде и купроксных выпрямительных элементов на ручном прессе и пульте. Пооперационный контроль незалитых микромодулей в соответствии с чертежами и ТУ, контроль качества маркировки, проверка токопроводящих линий на электропрочность и величину сопротивления. Проверка микромодулей по картам сопротивлений и напряжений. Подготовка образцов к измерению, изготовление сферических шлифов. Травление и декапирование образцов в кислотах и травителях. Настройка приборов на измерение необходимых значений электрических и электрофизических параметров. Определение отношений тангенса угла общих потерь к начальной магнитной проницаемости. Элементарные расчеты по формулам. Должен звать: устройство, назначение и условия применения контрольно - измерительных приборов; методику измерения электрических, электрофизических и электромагнитных параметров изделий электронной техники; свойства кислот и травителей; правила травления, декапирования и промывки; методы измерения толщины и типов проводимости; принципиальные схемы проверки вольт - амперных характеристик и пробивных напряжений; степень точности, пределы измерений и цену делений шкал электроизмерительных приборов; основные теоретические положения электро- и радиотехники. Примеры работ 1. Выпрямители селеновые из элементов серий "А", "Г", "Я", "Ф" всех размеров - измерение электропараметров. 2. Двуокись кремния на кремниевой подложке - измерение плотности сквозных дефектов слоя электрохимическим методом под микроскопом при увеличении в 25 - 50 раз. 3. Изделия ферритовые, изделия типа ТРН-200 - измерение электрических параметров. 4. Конденсаторы - измерение электрических параметров. 5. Кольца ферритовые, альсиферовые и карбонильные - измерение электрических и электромагнитных параметров. 6. Микротрансформаторы ММТИ - измерение коэффициента трансформации, электрической прочности и сопротивления изоляции, тока намагничивания, индуктивности рассеивания, емкости между обмотками, длительности переднего и заднего фронтов, сигналов, помех. 7. Многослойные печатные платы - разметка топологии, замеры переходного сопротивления в отверстиях. 8. Пластины, слитки полупроводниковых материалов, слои - определение типа проводимости; определение угла отклонения от заданного кристаллографического направления оптическим методом. 9. Пластины с кристаллами микросхем малой степени интеграции - проверка статических параметров. 10. Пластины полупроводниковые - определение толщины эпитаксиальных структур методом шарового шлифа. 11. Платы электронных часов - проверка тока потребления, генерации и диапазона перестройки кварцевого генератора. 12. Резисторы - измерение и подгонка сопротивлений; измерение величины омического сопротивления в условиях серийного и массового производства с точностью до +/- 5%. 13. Секции металлобумажные, пленочные - измерение электрических параметров. 14. Секции оксидных конденсаторов - измерение емкости на специальной установке. 15. Селеновые элементы серий "А", "Я", "Ф", "Г" всех размеров - измерение всех электропараметров. 16. Слои диэлектрические, поликристаллические, эпитаксиальные - измерение толщины по таблицам цветности, на инфракрасных спектрофотометрах, измерение толщины на поляризационном микроскопе в проходящем ИК-свете по электрооптическому эффекту в арсениде галлия. 17. Стержни ферритовые - измерение угла поворота плоскости поляризации в заданном диапазоне. 18. Схемы интегральные - измерение электрофизических параметров, диффузионных и напылительных процессов для ИС Ш степени интеграции. 19. Трансформаторы и дроссели - измерение электрических параметров. 20. Ферриты кольцевые марганец - цинковые - измерение емкости, тангенса угла диэлектрических потерь. 4-й разряд Характеристика работ. Измерение температурной стабильности, температурного коэффициента и других электрических параметров радиодеталей. Измерение электрических параметров конденсаторов на электропрочность между выводами, сопротивления изоляции между выводами, на классы точности по емкости измеряемых конденсаторов. Измерение электрических и электромагнитных параметров матриц и дешифраторов. Измерение удельных сопротивлений полупроводниковых материалов, эпитаксиальных структур и поверхностного сопротивления поликристаллических слоев 4-зондовым методом. Определение скорости травления диэлектрических слоев, типа проводимости структур, зависимости емкостей и удельных сопротивлений от температуры. Определение плотности дислокации структурных дефектов на металлографических микросхемах и однородности распределения плотности по эталонам. Контроль статических параметров, контроль тестов на функционирование микросхем со степенью интеграции менее 100 эл/кв. мм. Проверка всех схем микромодулей по картам сопротивлений, напряжений и электрических параметров в нормальных условиях и при крайних значениях температур в камерах тепла и холода на соответствие требованиям ТУ. Запитка напряжением различных микромодулей, установленных на стендах. Проверка по электрическим параметрам и электрической прочности блоков селеновых выпрямителей, измерение селеновых элементов по электрическим параметрам для модуляторов и изделий специального назначения. Вычисление электрических параметров по формулам и измерение их на приборах. Подготовка и настройка установок, стендов и приборов к работе с последующей настройкой по эталонным пластинам. Проверка правильности показаний приборов и регулировка приборов в процессе работы. Должен знать: устройство, принципиальные схемы, принцип действия и способы проверки на точность обслуживаемого оборудования и приборов; устройство, назначение и условия применения контрольно - измерительных приборов; электрические характеристики измеряемых изделий; способы настройки, регулировки и устранения мелких неисправностей приборов и автоматов; методы расчетов температурного коэффициента емкости; методы расчетов измерения емкости после воздействия влаги, нагрузки, холода; основы теории электротехники и радиотехники; назначение полупроводниковых материалов и эпитаксиальных структур и их свойства; методы расчета величины тока смещения. Примеры работ 1. Блоки питания ЭКВМ - проверка по всем параметрам. 2. Диски пьезокерамические - измерение и расчет пьезомодуля Д31 емкости и тангенса угла диэлектрических потерь. 3. Изделия из ферритов - измерение импульсных температурных характеристик; измерение магнитной проницаемости на массовых схемах. 4. Конденсаторы и резисторы - измерение температурных коэффициентов, измерение минимальной и максимальной емкости, измерение и вычисление измерения емкости после воздействия влаги, нагрузки и холода. 5. Матрицы - измерение по электромагнитным параметрам с плотностью от 100 до 200 чисел на 1 кв. м с шагом 1 - 1,5 мм. 6. Монокристаллический кремний и германий - измерение удельного сопротивления 4-зондовым методом; определение плотности дислокации; изготовление омических контактов для измерения времени жизни методом модуляции проводимости в точечном контакте. 7. МПП с количеством точек до 3000 - проверка схемы на установке УКП. 8. Пластины памяти и пластины дешифраторов для кубов памяти - измерение электромагнитных параметров; нанесение микрообмотки на матрицы и дешифраторы; нанесение флюсов на выводы пластин; расчет длительности импульса и его амплитуды по показателям осциллографа. 9. Пластины, квадраты, кольца - измерение и расчет электрических параметров. 10. Пластины полупроводниковые - замер неплоскостности на установках типа 6019 с выводом значений на дисплей. 11. Платы печатного монтажа - контроль на короткое замыкание омического сопротивления, целостности цепи тестором и на прозвоночной станции. 12. Секции накопителей памяти - измерение и сортировка по электрическим параметрам. 13. Селеновые выпрямители специального назначения - измерение электрических параметров. 14. Слои и платы (МПП) - проверка на целостность цепей, на отсутствие короткого замыкания, проверка сопротивления изоляции. 15. Слои структур арсенида галлия - измерение толщины методом декорирования анодным окислением в ультрафиолетовом свете. 16. Ферриты - измерение СВЧ характеристик на специальных стендах; измерение температурного коэффициента; вычисление электрических параметров по формулам и измерение их на приборе. 17. Фоторезисторы - измерение ЭДС шумов. 18. Электронные часы - настройка частоты генератора, проверка функциональных параметров. 5-й разряд Характеристика работ. Измерение напряжения сигнала и напряжения помех, фазового сдвига, величины омического сопротивления и других электрических и электромагнитных параметров радиодеталей на специальных стендах, контрольно - измерительных приборах, осциллографах в условиях опытного и серийного производства. Снятие петли гистерезиса, определение коэффициента потерь на гистерезис, а также магнитных параметров по петле гистерезиса. Подсчет величины электромагнитной индукции и поля, необходимой для проверки изделий. Измерение удельных сопротивлений и толщины полупроводниковых материалов, эпитаксиальных, диэлектрических и поликристаллических слоев различными методами. Определение плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник - диэлектрик. Определение концентрации, холловской подвижности и оптического поглощения. Измерение кристаллов дискретных приборов и микросхем со степенью интеграции до 1000 эл/кв. мм на измерительном оборудовании на предмет разбраковки их по тестам, функционированию, статическим параметрам и динамическим свойствам. Проверка сложных схем микромодулей по электрическим параметрам. Проверка микромодулей специального назначения по картам сопротивлений, напряжений и электрическим характеристикам на соответствие требованиям ТУ в нормальных условиях и при крайних значениях температур. Устранение неисправностей в обслуживаемом контрольно - измерительном оборудовании. Подготовка системы к работе, ввод рабочих программ. Работа на измерительных установках с применением ЭВМ. Выбор режима работы. Документирование результатов контроля, расчет требуемых характеристик. Должен знать: устройство, принципиальные схемы, принцип действия и способы проверки на точность измерительных установок; правила проверки и регулирования измерительной аппаратуры; узлы и пульты управления электронно - вычислительной техникой; правила эксплуатации системы в различных режимах работы; правила и способы тестирования, ввода программы с перфоленты и с пульта, значение систем исчисления, применяемых в вычислительной технике; методику и способы измерения электрических, электрофизических и электромагнитных параметров изделий; способы вычисления по формулам величины магнитного поля и индукции; способы замера расчетных величин по приборам; правила подключения приборов к источникам питания; способы устранения неисправностей; основы электро- и радиотехники. Требуется среднее профессиональное образование. Примеры работ 1. Блоки питания для вычислительных машин типа "Минск" - проверка по всем параметрам. 2. Дешифраторы для кубов памяти - определение фазового сдвига, измерение амплитудного сигнала на стендах и приборах. 3. Диски, призмы, кольца пьезокерамические - измерение пьезомодуля Д31, емкости и тангенса диэлектрических потерь на измерительном комплексе "Параметр". 4. Кольца ферритовые с ППГ - измерение электромагнитных параметров. 5. Конденсаторы, резисторы, микросхемы - измерение и разбраковка по основным параметрам. 6. Монокристаллический кремний и германий - изготовление образцов и нанесение омических контактов для измерения коэффициента Холла и удельной электропроводимости; контроль линий скольжения; определение времени жизни методом подвижного светового зонда. 7. МПП с количеством точек свыше 3000 - проверка схемы на установке УКПМ-2; нахождение в схеме места дефектов согласно протоколу автоматизированного контроля. 8. Носители заряда - определение концентраций и подвижности в интервале температур методом эффекта Холла. 9. Пластины кремниевые полированные - выявление и контроль исчезающих и неисчезающих рисок. 10. Пластины с кристаллами ИМС и дискретных структур транзисторов - разбраковка кристаллов по группам с использованием дисплея ЭВМ. 11. Пластины опытные и кольца - измерение электромагнитных параметров. 12. Пластины и кольца с прямоугольной петлей гистерезиса - снятие характеристик, измерение и расчет электрических и электромагнитных параметров. 13. Пластины полупроводниковые - определение распределения концентрации и подвижности носителей тока по толщине активного слоя эпитаксиальных структур. 14. Резисторы и конденсаторы мощные - расчет нагрузок, проведение испытаний на высоковольтных высокочастотных установках под нагрузкой; измерение электрических характеристик до и после испытания. 15. Слои гетероструктурные на арсениде галлия - измерение интенсивности рекомбинационного излучения. 16. Структуры эпитаксиальные - проведение комплекса измерений на соответствие техническим уровням; измерение распределения удельного сопротивления по глубине эпитаксиального слоя; определение удельного сопротивления эпитаксиального слоя, имеющего одинаковый с подложкой тип проводимости.